Effizienter Auslesemechanismus in der antiferromagnetischen Spin-ElektronikAbb./©: Sarah Jenkins Technologisch relevanter Auslesemechanismus für ultraschnelle und stabile magnetische Datenspeicher nachgewiesen
Effizienter Auslesemechanismus in der antiferromagnetischen Spin-ElektronikAbb./©: Sarah Jenkins Technologisch relevanter Auslesemechanismus für ultraschnelle und stabile magnetische Datenspeicher nachgewiesen